產(chǎn)品分類
賣盤信息
| 型號 | 品牌 |
數(shù)量
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美金單價 |
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人民幣單價 （含稅13%） |
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最小起訂量 最小包裝 | 交貨地交期 | 批次 | 購買量 | 操作 |
|---|
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參數(shù)
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數(shù)值
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|---|---|
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ROHS標(biāo)準(zhǔn)
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符合
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防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
|
符合
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最大漏源電壓
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20V
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最大漏源電阻值
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31mΩ
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最大柵閾值電壓
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1V
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最小柵閾值電壓
|
0.3V
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最大柵源電壓
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±8V
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封裝類型
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SOP
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安裝類型
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表面貼裝
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引腳數(shù)目
|
8
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最大功率耗散
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2W
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每片芯片元件數(shù)目
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1
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最低工作溫度
|
-55°C
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典型輸入電容值@Vds
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961pF@15V
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典型柵極電荷@Vgs
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12.3nC@4.5V
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正向二極管電壓
|
1.2V
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典型關(guān)斷延遲時間
|
28ns
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尺寸
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4.85x3.9x0.8mm
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Pd-功率耗散
|
2W
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Vgs-柵極-源極電壓
|
4.5V
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Id-連續(xù)漏極電流
|
28A
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制造商
|
TaiwanSemiconductor
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最小工作溫度
|
-55C
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Qg-柵極電荷
|
12.3nC
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商標(biāo)
|
TaiwanSemiconductor
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封裝
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Reel
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最大工作溫度
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+150C
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安裝風(fēng)格
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SMD/SMT
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Vds-漏源極擊穿電壓
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20V
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子類別
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MOSFETs
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產(chǎn)品種類
|
MOSFET
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工廠包裝數(shù)量
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2500
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晶體管極性
|
N-Channel
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Vgsth-柵源極閾值電壓
|
600mV
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通道數(shù)量
|
1Channel
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RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻
|
16mOhms
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配置
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Single
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ECCN
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EAR99
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Drain to Source on-state resis...
|
20mOhm(20A/4.5V)
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Polarity
|
N
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lead free status
|
pb free
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Continuous drain current
|
28A(Ta)
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Lifecycle Status
|
Active
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Drain to Source voltage
|
20V
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Product Overview
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Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin SOP T/R
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Field-effect transistor type
|
N-CH
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Package
|
8-SOIC(0.154inch|3.90mm)
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FETType
|
N-Channel
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Technology
|
MOSFET(MetalOxide)
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RdsOn(Max)@Id,Vgs
|
20mOhm@20A,4.5V
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Vgs(th)(Max)@Id
|
1V@250μA
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OperatingTemperature
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-55°C~150°C(TJ)
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DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn...
|
1.8V,4.5V
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PowerDissipation(Max)
|
2W(Ta)
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FETFeature
|
-
|
|
SupplierDevicePackage
|
8-SOP
|
|
Package/Case
|
8-SOIC(0.154,3.90mmWidth)
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|
Series
|
-
|
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MountingType
|
SurfaceMount
|
|
DraintoSourceVoltage(Vdss)
|
20V
|
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Vgs(Max)
|
±8V
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|
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vd...
|
961pF@15V
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Category
|
DiscreteSemiconductorProducts-Transistors-FETs,MOSFETs-Single
|
|
Manufacturer
|
TSCAmericaInc.
|
|
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
|
12.3nC@4.5V
|
|
Current-ContinuousDrain(Id)@25...
|
28A(Ta)
|
|
ECAD
|
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